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  • 碳化硅(SiC)MOSFET

     


     

             Littelfus碳化硅(SiC)MOSFET LSIC1MO120E0120和LSIC1MO120E0160具有较低导通电阻(RDS(ON)),分别仅为120毫欧姆和160毫欧姆。

     

            这些碳化硅MOSFET可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关,其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他硅MOSFET。其还兼具高工作电压和高切换速度,这是具有类似额定电流和封装的硅IGBT等传统功率晶体管方案所无法企及的。


             这些新型碳化硅MOSFET的典型应用包括:电动汽车、工业机械、可再生能源(如太阳能逆变器)、医疗设备、开关式电源、不间断电源(UPS)、电机驱动器、高压DC/DC转换器、感应加热。

     

     


     

     

    新型1200V碳化硅MOSFET具有以下关键优势:


    · 从系统层面减少的无源滤波器组件数量有助于提高功率密度,为高频高效应用打造优化设计;

    · 低栅极电荷和输出电容结合低导通电阻可尽可能减少功率耗散,提高效率并降低所需冷却技术的规模和复杂性。

     

            Littelfus碳化硅(SiC)MOSFET LSIC1MO120E0120 1200 V额定电压为1200 V,额定电阻为120 mOhm,采用TO-247-3L封装。

     

    功能与特色


    · 专为高频、高效应用优化

    · 极低栅极电荷和输出电容

    · 低栅极电阻,适用于高频开关

    · 在各种温度条件下保持常闭状态                            

    · 低导通电阻


                             

     

     

    目标应用


    · 太阳能逆变器

    · 开关模式电源设备

    · UPS

    · 电机驱动器

    · 高压直流/直流转换器

    · 感应加热等